Немецкий производитель полупроводников Infineon заявил, что займет большую долю рынка чипов на основе нитрида галлия (GaN) после объявления о технологическом прорыве, который, по словам компании, снизит затраты на производство.

По словам генерального директора Йохена Ханебека, рынок этой технологии достигнет объема в несколько миллиардов долларов к концу десятилетия. «Мы хотим формировать этот рынок», — сказал он.

GaN-чипы, которые являются альтернативой кремниевым, отличаются большей эффективностью, скоростью, лёгкостью и способностью работать при высоких температурах и напряжениях. Они позволяют создавать более компактные зарядные устройства для ноутбуков, смартфонов и электромобилей.

Компания ожидает, что цены на GaN-чипы приблизятся к ценам на кремниевые в ближайшие годы. Infineon впервые в мире произвела GaN-чипы на 300-миллиметровых подложках, что, по словам Ханебека, снижает затраты, поскольку на таких подложках помещается в 2,3 раза больше чипов, чем на 200-мм.